КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыТранзисторы малой мощностиТранзисторы маломощныеFQI4N80TU

FQI4N80TU, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 2,47А; Idm: 15,6А; 130Вт; I2PAK, ON SEMICONDUCTOR

Арт:
FQI4N80TU, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 2,47А; Idm: 15,6А; 130Вт; I2PAK, ON SEMICONDUCTOR
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: FQI4N80TU
  • Производитель: ON SEMICONDUCTOR
  • Доп.наименование: Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 2,47А; Idm: 15,6А; 130Вт; I2PAK
  • Склад:
    Заказать Цены указаны без НДС

    Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 2,47А; Idm: 15,6А; 130Вт; I2PAK Технические параметры
    • Case: I2PAK
    • Channel kind: enhanced
    • Drain current: 2.47A
    • Drain-source voltage: 800V
    • Gate charge: 25нКл
    • Gate-source voltage: ±30V
    • Kind of package: tube
    • Manufacturer: ON SEMICONDUCTOR
    • Mounting: THT
    • On-State Resistance: 3.6Ω
    • Polarisation: unipolar
    • Power dissipation: 130W
    • Pulsed drain current: 15.6A
    • Type of transistor: N-MOSFET