КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыТранзисторы малой мощностиТранзисторы маломощныеFQI5N60CTU

FQI5N60CTU, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 2,6А; Idm: 18А; 100Вт; I2PAK, ON SEMICONDUCTOR

Арт:
FQI5N60CTU, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 2,6А; Idm: 18А; 100Вт; I2PAK, ON SEMICONDUCTOR
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: FQI5N60CTU
  • Производитель: ON SEMICONDUCTOR
  • Доп.наименование: Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 2,6А; Idm: 18А; 100Вт; I2PAK
  • Склад:
    Заказать Цены указаны без НДС

    Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 2,6А; Idm: 18А; 100Вт; I2PAK Технические параметры
    • Case: I2PAK
    • Channel kind: enhanced
    • Drain current: 2.6A
    • Drain-source voltage: 600V
    • Gate charge: 19нКл
    • Gate-source voltage: ±30V
    • Kind of package: tube
    • Manufacturer: ON SEMICONDUCTOR
    • Mounting: THT
    • On-State Resistance: 2.5Ω
    • Polarisation: unipolar
    • Power dissipation: 100W
    • Pulsed drain current: 18A
    • Type of transistor: N-MOSFET