КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыТранзисторы малой мощностиТранзисторы маломощныеFQU1N60CTU

FQU1N60CTU, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 600мА; Idm: 4А; 28Вт; IPAK, ON SEMICONDUCTOR

Арт:
FQU1N60CTU, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 600мА; Idm: 4А; 28Вт; IPAK, ON SEMICONDUCTOR
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: FQU1N60CTU
  • Производитель: ON SEMICONDUCTOR
  • Доп.наименование: Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 600мА; Idm: 4А; 28Вт; IPAK
  • Склад:
    Заказать Цены указаны без НДС

    Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 600мА; Idm: 4А; 28Вт; IPAK Технические параметры
    • Case: IPAK
    • Channel kind: enhanced
    • Drain current: 600mA
    • Drain-source voltage: 600V
    • Gate charge: 6.2нКл
    • Gate-source voltage: ±30V
    • Kind of package: tube
    • Manufacturer: ON SEMICONDUCTOR
    • Mounting: THT
    • On-State Resistance: 11.5Ω
    • Polarisation: unipolar
    • Power dissipation: 28W
    • Pulsed drain current: 4A
    • Type of transistor: N-MOSFET