КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыТранзисторы малой мощностиТранзисторы маломощныеFQU1N80TU

FQU1N80TU, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 630мА; Idm: 4А; 45Вт; IPAK, ON SEMICONDUCTOR

Арт:
FQU1N80TU, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 630мА; Idm: 4А; 45Вт; IPAK, ON SEMICONDUCTOR
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: FQU1N80TU
  • Производитель: ON SEMICONDUCTOR
  • Доп.наименование: Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 630мА; Idm: 4А; 45Вт; IPAK
  • Склад:
    Заказать Цены указаны без НДС

    Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 630мА; Idm: 4А; 45Вт; IPAK Технические параметры
    • Case: IPAK
    • Channel kind: enhanced
    • Drain current: 630mA
    • Drain-source voltage: 800V
    • Gate charge: 7.2нКл
    • Gate-source voltage: ±30V
    • Kind of package: tube
    • Manufacturer: ON SEMICONDUCTOR
    • Mounting: THT
    • On-State Resistance: 20Ω
    • Polarisation: unipolar
    • Power dissipation: 45W
    • Pulsed drain current: 4A
    • Type of transistor: N-MOSFET