КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыТранзисторы малой мощностиТранзисторы маломощныеFQU5N60CTU

FQU5N60CTU, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 1,8А; Idm: 11,2А; 49Вт; IPAK, ON SEMICONDUCTOR

Арт:
FQU5N60CTU, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 1,8А; Idm: 11,2А; 49Вт; IPAK, ON SEMICONDUCTOR
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: FQU5N60CTU
  • Производитель: ON SEMICONDUCTOR
  • Доп.наименование: Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 1,8А; Idm: 11,2А; 49Вт; IPAK
  • Склад:
    Заказать Цены указаны без НДС

    Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 1,8А; Idm: 11,2А; 49Вт; IPAK Технические параметры
    • Case: IPAK
    • Channel kind: enhanced
    • Drain current: 1.8A
    • Drain-source voltage: 600V
    • Gate charge: 19нКл
    • Gate-source voltage: ±30V
    • Kind of package: tube
    • Manufacturer: ON SEMICONDUCTOR
    • Mounting: THT
    • On-State Resistance: 2.5Ω
    • Polarisation: unipolar
    • Power dissipation: 49W
    • Pulsed drain current: 11.2A
    • Type of transistor: N-MOSFET