КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыТранзисторы малой мощностиТранзисторы маломощныеFQU9N25TU

FQU9N25TU, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 250В; 4,7А; Idm: 29,6А; 55Вт; IPAK, ON SEMICONDUCTOR

Арт:
FQU9N25TU, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 250В; 4,7А; Idm: 29,6А; 55Вт; IPAK, ON SEMICONDUCTOR
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: FQU9N25TU
  • Производитель: ON SEMICONDUCTOR
  • Доп.наименование: Транзистор: N-MOSFET; полевой; 250В; 4,7А; Idm: 29,6А; 55Вт; IPAK
  • Склад:
    Заказать Цены указаны без НДС

    Транзистор: N-MOSFET; полевой; 250В; 4,7А; Idm: 29,6А; 55Вт; IPAK Технические параметры
    • Case: IPAK
    • Channel kind: enhanced
    • Drain current: 4.7A
    • Drain-source voltage: 250V
    • Gate charge: 20нКл
    • Gate-source voltage: ±30V
    • Kind of package: tube
    • Manufacturer: ON SEMICONDUCTOR
    • Mounting: THT
    • On-State Resistance: 420mΩ
    • Polarisation: unipolar
    • Power dissipation: 55W
    • Pulsed drain current: 29.6A
    • Type of transistor: N-MOSFET