КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыТранзисторы малой мощностиТранзисторы маломощныеFQI50N06TU

FQI50N06TU, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 35,4А; Idm: 200А; 120Вт; I2PAK, ON SEMICONDUCTOR

Арт:
FQI50N06TU, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 35,4А; Idm: 200А; 120Вт; I2PAK, ON SEMICONDUCTOR
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: FQI50N06TU
  • Производитель: ON SEMICONDUCTOR
  • Доп.наименование: Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 35,4А; Idm: 200А; 120Вт; I2PAK
  • Склад:
    Заказать Цены указаны без НДС

    Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 35,4А; Idm: 200А; 120Вт; I2PAK Технические параметры
    • Case: I2PAK
    • Channel kind: enhanced
    • Drain current: 35.4A
    • Drain-source voltage: 60V
    • Gate charge: 41нКл
    • Gate-source voltage: ±25V
    • Kind of package: tube
    • Manufacturer: ON SEMICONDUCTOR
    • Mounting: THT
    • On-State Resistance: 22mΩ
    • Polarisation: unipolar
    • Power dissipation: 120W
    • Pulsed drain current: 200A
    • Type of transistor: N-MOSFET