КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыТранзисторы малой мощностиТранзисторы маломощныеAPT1001R6BFLLG

APT1001R6BFLLG, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1кВ; 8А; Idm: 32А; 266Вт; TO247-3, MICROSEMI

Арт:
APT1001R6BFLLG, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1кВ; 8А; Idm: 32А; 266Вт; TO247-3, MICROSEMI
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: APT1001R6BFLLG
  • Производитель: MICROSEMI
  • Доп.наименование: Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1кВ; 8А; Idm: 32А; 266Вт; TO247-3
  • Склад:
    Изображение товара дано только в качестве иллюстрации. См. спецификацию продукта (pdf)
    Заказать Цены указаны без НДС

    Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1кВ; 8А; Idm: 32А; 266Вт; TO247-3 Технические параметры
    • Case: TO247-3
    • Channel kind: enhanced
    • Drain current: 8A
    • Drain-source voltage: 1kV
    • Gate charge: 55нКл
    • Gate-source voltage: ±30V
    • Manufacturer: MICROSEMI
    • Mounting: THT
    • On-State Resistance: 1.6Ω
    • Polarisation: unipolar
    • Power dissipation: 266W
    • Pulsed drain current: 32A
    • Technology: POWER MOS 7®
    • Type of transistor: N-MOSFET