APT1001RBVFRG, Транзистор: N-MOSFET; POWER MOS 5®; полевой; 1кВ; 11А; Idm: 44А, MICROSEMI
Арт:
- добавить в избранное
- Арт:
- Наименование: APT1001RBVFRG
- Производитель: MICROSEMI
- Доп.наименование: Транзистор: N-MOSFET; POWER MOS 5®; полевой; 1кВ; 11А; Idm: 44А
- Склад:
Изображение товара дано только в качестве иллюстрации.
См. спецификацию продукта (pdf)
Транзистор: N-MOSFET; POWER MOS 5®; полевой; 1кВ; 11А; Idm: 44А Технические параметры
- Case: TO247-3
- Channel kind: enhanced
- Drain current: 11A
- Drain-source voltage: 1kV
- Gate charge: 150нКл
- Gate-source voltage: ±30V
- Manufacturer: MICROSEMI
- Mounting: THT
- On-State Resistance: 1Ω
- Polarisation: unipolar
- Power dissipation: 278W
- Pulsed drain current: 44A
- Technology: POWER MOS 5®
- Type of transistor: N-MOSFET
