APT1003RBFLLG, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1кВ; 4А; Idm: 16А; 139Вт; TO247-3, MICROSEMI
Арт:
- добавить в избранное
- Арт:
- Наименование: APT1003RBFLLG
- Производитель: MICROSEMI
- Доп.наименование: Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1кВ; 4А; Idm: 16А; 139Вт; TO247-3
- Склад:
Изображение товара дано только в качестве иллюстрации.
См. спецификацию продукта (pdf)
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1кВ; 4А; Idm: 16А; 139Вт; TO247-3 Технические параметры
- Case: TO247-3
- Channel kind: enhanced
- Drain current: 4A
- Drain-source voltage: 1kV
- Gate charge: 34нКл
- Gate-source voltage: ±30V
- Manufacturer: MICROSEMI
- Mounting: THT
- On-State Resistance: 3Ω
- Polarisation: unipolar
- Power dissipation: 139W
- Pulsed drain current: 16A
- Technology: POWER MOS 7®
- Type of transistor: N-MOSFET
