КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыТранзисторы малой мощностиТранзисторы маломощныеAPT10M09LVFRG

APT10M09LVFRG, Транзистор: N-MOSFET; POWER MOS 5®; полевой; 100В; 100А; Idm: 400А, MICROSEMI

Арт:
APT10M09LVFRG, Транзистор: N-MOSFET; POWER MOS 5®; полевой; 100В; 100А; Idm: 400А, MICROSEMI
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: APT10M09LVFRG
  • Производитель: MICROSEMI
  • Доп.наименование: Транзистор: N-MOSFET; POWER MOS 5®; полевой; 100В; 100А; Idm: 400А
  • Склад:
    Изображение товара дано только в качестве иллюстрации. См. спецификацию продукта (pdf)
    Заказать Цены указаны без НДС

    Транзистор: N-MOSFET; POWER MOS 5®; полевой; 100В; 100А; Idm: 400А Технические параметры
    • Case: TO264
    • Channel kind: enhanced
    • Drain current: 100A
    • Drain-source voltage: 100V
    • Gate charge: 350нКл
    • Gate-source voltage: ±30V
    • Manufacturer: MICROSEMI
    • Mounting: THT
    • On-State Resistance: 9mΩ
    • Polarisation: unipolar
    • Power dissipation: 625W
    • Pulsed drain current: 400A
    • Technology: POWER MOS 5®
    • Type of transistor: N-MOSFET