APT10M11LVRG, Транзистор: N-MOSFET; POWER MOS 5®; полевой; 100В; 100А; 520Вт, MICROSEMI
Арт:
- добавить в избранное
- Арт:
- Наименование: APT10M11LVRG
- Производитель: MICROSEMI
- Доп.наименование: Транзистор: N-MOSFET; POWER MOS 5®; полевой; 100В; 100А; 520Вт
- Склад:
Изображение товара дано только в качестве иллюстрации.
См. спецификацию продукта (pdf)
Транзистор: N-MOSFET; POWER MOS 5®; полевой; 100В; 100А; 520Вт Технические параметры
- Case: TO264
- Channel kind: enhanced
- Drain current: 100A
- Drain-source voltage: 100V
- Gate charge: 450нКл
- Gate-source voltage: ±30V
- Manufacturer: MICROSEMI
- Mounting: THT
- On-State Resistance: 11mΩ
- Polarisation: unipolar
- Power dissipation: 520W
- Technology: POWER MOS 5®
- Type of transistor: N-MOSFET
