КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыТранзисторы малой мощностиТранзисторы маломощныеAPT11N80BC3G

APT11N80BC3G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 11А; Idm: 33А; 156Вт; TO247-3, MICROSEMI

Арт:
APT11N80BC3G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 11А; Idm: 33А; 156Вт; TO247-3, MICROSEMI
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: APT11N80BC3G
  • Производитель: MICROSEMI
  • Доп.наименование: Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 11А; Idm: 33А; 156Вт; TO247-3
  • Склад:
    Изображение товара дано только в качестве иллюстрации. См. спецификацию продукта (pdf)
    Заказать Цены указаны без НДС

    Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 11А; Idm: 33А; 156Вт; TO247-3 Технические параметры
    • Case: TO247-3
    • Channel kind: enhanced
    • Drain current: 11A
    • Drain-source voltage: 800V
    • Gate charge: 60нКл
    • Gate-source voltage: ±20V
    • Manufacturer: MICROSEMI
    • Mounting: THT
    • On-State Resistance: 450mΩ
    • Polarisation: unipolar
    • Power dissipation: 156W
    • Pulsed drain current: 33A
    • Technology: CoolMOS™
    • Type of transistor: N-MOSFET