APT1201R4BLLG, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1,2кВ; 9А; 300Вт; TO247-3, MICROSEMI
Арт:
- добавить в избранное
- Арт:
- Наименование: APT1201R4BLLG
- Производитель: MICROSEMI
- Доп.наименование: Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1,2кВ; 9А; 300Вт; TO247-3
- Склад:
Изображение товара дано только в качестве иллюстрации.
См. спецификацию продукта (pdf)
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1,2кВ; 9А; 300Вт; TO247-3 Технические параметры
- Case: TO247-3
- Channel kind: enhanced
- Drain current: 9A
- Drain-source voltage: 1.2kV
- Gate charge: 120нКл
- Gate-source voltage: ±30V
- Manufacturer: MICROSEMI
- Mounting: THT
- On-State Resistance: 1.4Ω
- Polarisation: unipolar
- Power dissipation: 300W
- Technology: POWER MOS 7®
- Type of transistor: N-MOSFET