КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыТранзисторы малой мощностиТранзисторы маломощныеAPT1201R5BVFRG

APT1201R5BVFRG, Транзистор: N-MOSFET; POWER MOS 5®; полевой; 1,2кВ; 10А; Idm: 40А, MICROSEMI

Арт:
APT1201R5BVFRG, Транзистор: N-MOSFET; POWER MOS 5®; полевой; 1,2кВ; 10А; Idm: 40А, MICROSEMI
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: APT1201R5BVFRG
  • Производитель: MICROSEMI
  • Доп.наименование: Транзистор: N-MOSFET; POWER MOS 5®; полевой; 1,2кВ; 10А; Idm: 40А
  • Склад:
    Изображение товара дано только в качестве иллюстрации. См. спецификацию продукта (pdf)
    Заказать Цены указаны без НДС

    Транзистор: N-MOSFET; POWER MOS 5®; полевой; 1,2кВ; 10А; Idm: 40А Технические параметры
    • Case: TO247-3
    • Channel kind: enhanced
    • Drain current: 10A
    • Drain-source voltage: 1.2kV
    • Gate charge: 285нКл
    • Gate-source voltage: ±30V
    • Manufacturer: MICROSEMI
    • Mounting: THT
    • On-State Resistance: 1.5Ω
    • Polarisation: unipolar
    • Power dissipation: 370W
    • Pulsed drain current: 40A
    • Technology: POWER MOS 5®
    • Type of transistor: N-MOSFET