КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыТранзисторы малой мощностиТранзисторы маломощныеAPT1201R5BVRG

APT1201R5BVRG, Транзистор: N-MOSFET; POWER MOS 5®; полевой; 1,2кВ; 10А; TO247-3, MICROSEMI

Арт:
APT1201R5BVRG, Транзистор: N-MOSFET; POWER MOS 5®; полевой; 1,2кВ; 10А; TO247-3, MICROSEMI
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: APT1201R5BVRG
  • Производитель: MICROSEMI
  • Доп.наименование: Транзистор: N-MOSFET; POWER MOS 5®; полевой; 1,2кВ; 10А; TO247-3
  • Склад:
    Изображение товара дано только в качестве иллюстрации. См. спецификацию продукта (pdf)
    Заказать Цены указаны без НДС

    Транзистор: N-MOSFET; POWER MOS 5®; полевой; 1,2кВ; 10А; TO247-3 Технические параметры
    • Case: TO247-3
    • Channel kind: enhanced
    • Drain current: 10A
    • Drain-source voltage: 1.2kV
    • Gate charge: 28нКл
    • Manufacturer: MICROSEMI
    • Mounting: THT
    • On-State Resistance: 1.5Ω
    • Polarisation: unipolar
    • Technology: POWER MOS 5®
    • Type of transistor: N-MOSFET