APT12080LVRG, Транзистор: N-MOSFET; POWER MOS 5®; полевой; 1,2кВ; 16А; 520Вт, MICROSEMI
Арт:
- добавить в избранное
- Арт:
- Наименование: APT12080LVRG
- Производитель: MICROSEMI
- Доп.наименование: Транзистор: N-MOSFET; POWER MOS 5®; полевой; 1,2кВ; 16А; 520Вт
- Склад:
Изображение товара дано только в качестве иллюстрации.
См. спецификацию продукта (pdf)
Транзистор: N-MOSFET; POWER MOS 5®; полевой; 1,2кВ; 16А; 520Вт Технические параметры
- Case: TO264
- Channel kind: enhanced
- Drain current: 16A
- Drain-source voltage: 1.2kV
- Gate charge: 485нКл
- Gate-source voltage: ±30V
- Manufacturer: MICROSEMI
- Mounting: THT
- On-State Resistance: 800mΩ
- Polarisation: unipolar
- Power dissipation: 520W
- Technology: POWER MOS 5®
- Type of transistor: N-MOSFET