КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыТранзисторы малой мощностиТранзисторы маломощныеAPT18F60B

APT18F60B, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 12А; Idm: 65А; 335Вт; TO247-3, MICROSEMI

Арт:
APT18F60B, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 12А; Idm: 65А; 335Вт; TO247-3, MICROSEMI
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: APT18F60B
  • Производитель: MICROSEMI
  • Доп.наименование: Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 12А; Idm: 65А; 335Вт; TO247-3
  • Склад:
    Изображение товара дано только в качестве иллюстрации. См. спецификацию продукта (pdf)
    Заказать Цены указаны без НДС

    Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 12А; Idm: 65А; 335Вт; TO247-3 Технические параметры
    • Case: TO247-3
    • Channel kind: enhanced
    • Drain current: 12A
    • Drain-source voltage: 600V
    • Gate charge: 90нКл
    • Gate-source voltage: ±30V
    • Manufacturer: MICROSEMI
    • Mounting: THT
    • On-State Resistance: 370mΩ
    • Polarisation: unipolar
    • Power dissipation: 335W
    • Pulsed drain current: 65A
    • Technology: POWER MOS 8®
    • Type of transistor: N-MOSFET