APT20M36BLLG, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 65А; Idm: 260А; 329Вт; TO247-3, MICROSEMI
Арт:
- добавить в избранное
- Арт:
- Наименование: APT20M36BLLG
- Производитель: MICROSEMI
- Доп.наименование: Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 65А; Idm: 260А; 329Вт; TO247-3
- Склад:
Изображение товара дано только в качестве иллюстрации.
См. спецификацию продукта (pdf)
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 65А; Idm: 260А; 329Вт; TO247-3 Технические параметры
- Case: TO247-3
- Channel kind: enhanced
- Drain current: 65A
- Drain-source voltage: 200V
- Gate charge: 60нКл
- Gate-source voltage: ±30V
- Manufacturer: MICROSEMI
- Mounting: THT
- On-State Resistance: 36mΩ
- Polarisation: unipolar
- Power dissipation: 329W
- Pulsed drain current: 260A
- Technology: POWER MOS 7®
- Type of transistor: N-MOSFET