КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыТранзисторы малой мощностиТранзисторы маломощныеAPT30N60BC6

APT30N60BC6, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 19А; Idm: 89А; 219Вт; TO247-3, MICROSEMI

Арт:
APT30N60BC6, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 19А; Idm: 89А; 219Вт; TO247-3, MICROSEMI
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: APT30N60BC6
  • Производитель: MICROSEMI
  • Доп.наименование: Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 19А; Idm: 89А; 219Вт; TO247-3
  • Склад:
    Изображение товара дано только в качестве иллюстрации. См. спецификацию продукта (pdf)
    Заказать Цены указаны без НДС

    Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 19А; Idm: 89А; 219Вт; TO247-3 Технические параметры
    • Case: TO247-3
    • Channel kind: enhanced
    • Drain current: 19A
    • Drain-source voltage: 600V
    • Gate charge: 88нКл
    • Gate-source voltage: ±20V
    • Manufacturer: MICROSEMI
    • Mounting: THT
    • On-State Resistance: 125mΩ
    • Polarisation: unipolar
    • Power dissipation: 219W
    • Pulsed drain current: 89A
    • Technology: CoolMOS™
    • Type of transistor: N-MOSFET