КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыТранзисторы малой мощностиТранзисторы маломощныеAPT34N80LC3G

APT34N80LC3G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 34А; Idm: 102А; 417Вт; TO264, MICROSEMI

Арт:
APT34N80LC3G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 34А; Idm: 102А; 417Вт; TO264, MICROSEMI
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: APT34N80LC3G
  • Производитель: MICROSEMI
  • Доп.наименование: Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 34А; Idm: 102А; 417Вт; TO264
  • Склад:
    Изображение товара дано только в качестве иллюстрации. См. спецификацию продукта (pdf)
    Заказать Цены указаны без НДС

    Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 34А; Idm: 102А; 417Вт; TO264 Технические параметры
    • Case: TO264
    • Channel kind: enhanced
    • Drain current: 34A
    • Drain-source voltage: 800V
    • Gate charge: 355нКл
    • Gate-source voltage: ±20V
    • Manufacturer: MICROSEMI
    • Mounting: THT
    • On-State Resistance: 145mΩ
    • Polarisation: unipolar
    • Power dissipation: 417W
    • Pulsed drain current: 102A
    • Technology: CoolMOS™
    • Type of transistor: N-MOSFET