КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыТранзисторы малой мощностиТранзисторы маломощныеAPT38F80L

APT38F80L, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 26А; Idm: 150А; 1,04кВт; TO264, MICROSEMI

Арт:
APT38F80L, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 26А; Idm: 150А; 1,04кВт; TO264, MICROSEMI
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: APT38F80L
  • Производитель: MICROSEMI
  • Доп.наименование: Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 26А; Idm: 150А; 1,04кВт; TO264
  • Склад:
    Изображение товара дано только в качестве иллюстрации. См. спецификацию продукта (pdf)
    Заказать Цены указаны без НДС

    Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 26А; Idm: 150А; 1,04кВт; TO264 Технические параметры
    • Case: TO264
    • Channel kind: enhanced
    • Drain current: 26A
    • Drain-source voltage: 800V
    • Gate charge: 260нКл
    • Gate-source voltage: ±30V
    • Manufacturer: MICROSEMI
    • Mounting: THT
    • On-State Resistance: 240mΩ
    • Polarisation: unipolar
    • Power dissipation: 1.04kW
    • Pulsed drain current: 150A
    • Technology: POWER MOS 8®
    • Type of transistor: N-MOSFET