КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыТранзисторы малой мощностиТранзисторы маломощныеAPT50M65LLLG

APT50M65LLLG, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 67А; Idm: 268А; 694Вт; TO264, MICROSEMI

Арт:
APT50M65LLLG, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 67А; Idm: 268А; 694Вт; TO264, MICROSEMI
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: APT50M65LLLG
  • Производитель: MICROSEMI
  • Доп.наименование: Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 67А; Idm: 268А; 694Вт; TO264
  • Склад:
    Изображение товара дано только в качестве иллюстрации. См. спецификацию продукта (pdf)
    Заказать Цены указаны без НДС

    Транзистор: N-MOSFET; полевой; 500В; 67А; Idm: 268А; 694Вт; TO264 Технические параметры
    • Case: TO264
    • Channel kind: enhanced
    • Drain current: 67A
    • Drain-source voltage: 500V
    • Gate charge: 141нКл
    • Gate-source voltage: ±30V
    • Manufacturer: MICROSEMI
    • Mounting: THT
    • On-State Resistance: 65mΩ
    • Polarisation: unipolar
    • Power dissipation: 694W
    • Pulsed drain current: 268A
    • Technology: POWER MOS 7®
    • Type of transistor: N-MOSFET