КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыТранзисторы малой мощностиТранзисторы маломощныеAPT6025BVRG

APT6025BVRG, Транзистор: N-MOSFET; POWER MOS 5®; полевой; 600В; 25А; Idm: 100А, MICROSEMI

Арт:
APT6025BVRG, Транзистор: N-MOSFET; POWER MOS 5®; полевой; 600В; 25А; Idm: 100А, MICROSEMI
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: APT6025BVRG
  • Производитель: MICROSEMI
  • Доп.наименование: Транзистор: N-MOSFET; POWER MOS 5®; полевой; 600В; 25А; Idm: 100А
  • Склад:
    Изображение товара дано только в качестве иллюстрации. См. спецификацию продукта (pdf)
    Заказать Цены указаны без НДС

    Транзистор: N-MOSFET; POWER MOS 5®; полевой; 600В; 25А; Idm: 100А Технические параметры
    • Case: TO247-3
    • Channel kind: enhanced
    • Drain current: 25A
    • Drain-source voltage: 600V
    • Gate charge: 275нКл
    • Gate-source voltage: ±30V
    • Manufacturer: MICROSEMI
    • Mounting: THT
    • On-State Resistance: 250mΩ
    • Polarisation: unipolar
    • Power dissipation: 370W
    • Pulsed drain current: 100A
    • Technology: POWER MOS 5®
    • Type of transistor: N-MOSFET