APT60N60BCSG, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 38А; Idm: 230А; 431Вт; TO247-3, MICROSEMI
Арт:
- добавить в избранное
- Арт:
- Наименование: APT60N60BCSG
- Производитель: MICROSEMI
- Доп.наименование: Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 38А; Idm: 230А; 431Вт; TO247-3
- Склад:
Изображение товара дано только в качестве иллюстрации.
См. спецификацию продукта (pdf)
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 600В; 38А; Idm: 230А; 431Вт; TO247-3 Технические параметры
- Case: TO247-3
- Channel kind: enhanced
- Drain current: 38A
- Drain-source voltage: 600V
- Gate charge: 190нКл
- Gate-source voltage: ±30V
- Manufacturer: MICROSEMI
- Mounting: THT
- On-State Resistance: 45mΩ
- Polarisation: unipolar
- Power dissipation: 431W
- Pulsed drain current: 230A
- Technology: CoolMOS™
- Type of transistor: N-MOSFET