КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыТранзисторы малой мощностиТранзисторы маломощныеMUN5211DW1T1G

MUN5211DW1T1G, Транзистор: NPN x2; биполярный; BRT; 50В; 0,1А; 187мВт; SOT363, ON SEMICONDUCTOR

Арт:
MUN5211DW1T1G, Транзистор: NPN x2; биполярный; BRT; 50В; 0,1А; 187мВт; SOT363, ON SEMICONDUCTOR
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: MUN5211DW1T1G
  • Производитель: ON SEMICONDUCTOR
  • Доп.наименование: Транзистор: NPN x2; биполярный; BRT; 50В; 0,1А; 187мВт; SOT363
  • Склад:
    Заказать Цены указаны без НДС

    Транзистор: NPN x2; биполярный; BRT; 50В; 0,1А; 187мВт; SOT363 Технические параметры
    • Base resistor: 10kΩ
    • Base-emitter resistor: 10kΩ
    • Case: SOT363
    • Collector current: 0.1A
    • Collector-emitter voltage: 50V
    • Current gain: 60
    • Kind of package: tape
    • Manufacturer: ON SEMICONDUCTOR
    • Mounting: SMD
    • Polarisation: bipolar
    • Power dissipation: 187mW
    • Transistor kind: BRT
    • Type of transistor: NPN x2