Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -2,2А; 900мВт; SOT-23-3 Технические параметры
- Case: SOT-23-3
- Drain current: -2.2A
- Drain-source voltage: -30V
- Gate charge: 2.8нКл
- Gate-source voltage: ±12В
- Housing: SOT23-3
- Manufacturer: AOS
- Mount: SMD
- Mounting: SMD
- On-State Resistance: 130MΩ
- Polarisation: unipolar
- Polarity: полевой
- Transistor type: P-MOSFET
- Мощность: 0.9W
- Сопротивление в открытом состоянии: 130mΩ
- Ток стока: -2.2A