Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; комплементарная пара; -60/60В Технические параметры
- Case: SO8
- Drain current: -2.6/3.6A
- Drain-source voltage: 60/-60В
- Gate charge: 4.3/8нC
- Gate-source voltage: ±20В
- Housing: SO8
- Manufacturer: AOS
- Mount: SMD
- Mounting: SMD
- On-State Resistance: 56/105mΩ
- Polarisation: unipolar
- Polarity: полевой
- Transistor kind: комплементарная пара
- Transistor type: N/P-MOSFET
- Мощность: 1.28W
- Сопротивление в открытом состоянии: 56/105мОм
- Ток стока: 3.6/-2.6А