Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; комплементарная пара; -30/30В Технические параметры
- Case: SO8
- Drain current: -4.5/5A
- Drain-source voltage: 30/-30В
- Gate charge: 2.55/4.6нC
- Gate-source voltage: ±20В
- Housing: SO8
- Manufacturer: AOS
- Mount: SMD
- Mounting: SMD
- On-State Resistance: 30/41mΩ
- Polarisation: unipolar
- Polarity: полевой
- Transistor kind: комплементарная пара
- Transistor type: N/P-MOSFET
- Мощность: 1.3W
- Сопротивление в открытом состоянии: 30/41мОм
- Ток стока: 5/-4.5А