Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -30В; -5А; 1,3Вт; SO8 Технические параметры
- Case: SO8
- Drain current: -5A
- Drain-source voltage: -30V
- Gate charge: 6.7нC
- Gate-source voltage: ±20В
- Housing: SO8
- Manufacturer: AOS
- Mount: SMD
- Mounting: SMD
- On-State Resistance: 35MΩ
- Polarisation: unipolar
- Polarity: полевой
- Transistor type: P-MOSFET x2
- Мощность: 1.3W
- Сопротивление в открытом состоянии: 35mΩ
- Ток стока: -5A