Транзистор: N-MOSFET x2; полевой; 100В; 3А; 1,3Вт; SO8 Технические параметры
- Case: SO8
- Drain current: 3A
- Drain-source voltage: 100V
- Gate charge: 3нКл
- Gate-source voltage: ±20В
- Housing: SO8
- Manufacturer: AOS
- Mount: SMD
- Mounting: SMD
- On-State Resistance: 68MΩ
- Polarisation: unipolar
- Polarity: полевой
- Transistor type: N-MOSFET x2
- Мощность: 1.3W
- Сопротивление в открытом состоянии: 68mΩ
- Ток стока: 3A