BSC030P03NS3GAUMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -100А; 125Вт; PG-TDSON-8, Infineon
Арт:
- добавить в избранное
- Арт:
- Наименование: BSC030P03NS3GAUMA1
- Производитель: Infineon
- Доп.наименование: Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -100А; 125Вт; PG-TDSON-8
- Склад:
Изображение товара дано только в качестве иллюстрации.
См. спецификацию продукта (pdf)
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -100А; 125Вт; PG-TDSON-8 Технические параметры
- Case: PG-TDSON-8
- Drain current: -100A
- Drain-source voltage: -30V
- Gate-source voltage: ±25В
- Housing: PG-TDSON-8
- Manufacturer: Infineon
- Mount: SMD
- Mounting: SMD
- On-State Resistance: 3MΩ
- Polarisation: unipolar
- Polarity: полевой
- Technology: OptiMOS™ P3
- Transistor type: P-MOSFET
- Мощность: 125W
- Сопротивление в открытом состоянии: 3mΩ
- Ток стока: -100A
Документация
tmbsc030p03ns3gauma1-dte.pdf