КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыТранзисторы малой мощностиТранзисторы маломощныеBSC084P03NS3EGATMA

BSC084P03NS3EGATMA, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -78,6А; 69Вт; PG-TDSON-8, Infineon

Арт:
BSC084P03NS3EGATMA, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -78,6А; 69Вт; PG-TDSON-8, Infineon
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: BSC084P03NS3EGATMA
  • Производитель: Infineon
  • Доп.наименование: Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -78,6А; 69Вт; PG-TDSON-8
  • Склад:
    Изображение товара дано только в качестве иллюстрации. См. спецификацию продукта (pdf)
    Заказать Цены указаны без НДС

    Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -78,6А; 69Вт; PG-TDSON-8 Технические параметры
    • Case: PG-TDSON-8
    • Drain current: -78.6A
    • Drain-source voltage: -30V
    • Gate-source voltage: ±25В
    • Housing: PG-TDSON-8
    • Manufacturer: Infineon
    • Mount: SMD
    • Mounting: SMD
    • On-State Resistance: 8.4MΩ
    • Polarisation: unipolar
    • Polarity: полевой
    • Technology: OptiMOS™ P3
    • Transistor type: P-MOSFET
    • Мощность: 69W
    • Сопротивление в открытом состоянии: 8.4mΩ
    • Ток стока: -78.6A