BSD223PH6327XTSA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -390мА; 250мВт; PG-SOT-363, Infineon
Арт:
- добавить в избранное
- Арт:
- Наименование: BSD223PH6327XTSA1
- Производитель: Infineon
- Доп.наименование: Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -390мА; 250мВт; PG-SOT-363
- Склад:
Изображение товара дано только в качестве иллюстрации.
См. спецификацию продукта (pdf)
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -390мА; 250мВт; PG-SOT-363 Технические параметры
- Case: PG-SOT-363
- Drain current: -390mA
- Drain-source voltage: -20V
- Gate-source voltage: ±12В
- Housing: PG-SOT-363
- Manufacturer: Infineon
- Mount: SMD
- Mounting: SMD
- On-State Resistance: 1.2Ω
- Polarisation: unipolar
- Polarity: полевой
- Technology: OptiMOS™ P
- Transistor type: P-MOSFET
- Мощность: 0.25W
- Сопротивление в открытом состоянии: 1.2Ω
- Ток стока: -0.39A
Документация
tmbsd223ph6327xtsa1-dte.pdf