BSD235CH6327XTSA1, Транзистор: N/P-MOSFET; 20/-20В; 0,95/-0,53А; 0,5Вт; OptiMOS™ 2, Infineon
Арт:
- добавить в избранное
- Арт:
- Наименование: BSD235CH6327XTSA1
- Производитель: Infineon
- Доп.наименование: Транзистор: N/P-MOSFET; 20/-20В; 0,95/-0,53А; 0,5Вт; OptiMOS™ 2
- Склад:
Изображение товара дано только в качестве иллюстрации.
См. спецификацию продукта (pdf)
Транзистор: N/P-MOSFET; 20/-20В; 0,95/-0,53А; 0,5Вт; OptiMOS™ 2 Технические параметры
- Case: SOT363
- Drain current: 0.95/-0.53A
- Drain-source voltage: 20/-20В
- Gate-source voltage: ±12В
- Housing: PG-SOT-363
- Manufacturer: Infineon
- Mount: SMD
- Mounting: SMD
- On-State Resistance: 415/1221mΩ
- Polarity: полевой
- Technology: OptiMOS™ 2
- Transistor type: N/P-MOSFET
- Мощность: 0.5W
- Сопротивление в открытом состоянии: 415/1221мОм
- Ток стока: 0.95/-0.53А
Документация
tmbsd235ch6327xtsa1.pdf