BSD314SPEH6327XTSA, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -1,5А; 500мВт; PG-SOT-363, Infineon
Арт:
- добавить в избранное
- Арт:
- Наименование: BSD314SPEH6327XTSA
- Производитель: Infineon
- Доп.наименование: Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -1,5А; 500мВт; PG-SOT-363
- Склад:
Изображение товара дано только в качестве иллюстрации.
См. спецификацию продукта (pdf)
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -1,5А; 500мВт; PG-SOT-363 Технические параметры
- Case: PG-SOT-363
- Drain current: -1.5A
- Drain-source voltage: -30V
- Gate-source voltage: ±30V
- Housing: PG-SOT-363
- Manufacturer: Infineon
- Mount: SMD
- Mounting: SMD
- On-State Resistance: 230MΩ
- Polarisation: unipolar
- Polarity: полевой
- Technology: OptiMOS™ P3
- Transistor type: P-MOSFET
- Мощность: 0.5W
- Сопротивление в открытом состоянии: 230mΩ
- Ток стока: -1.5A
Документация
tmbsd314speh6327xtsa-dte.pdf