КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыТранзисторы малой мощностиТранзисторы маломощныеBSL308PEH6327XTSA1

BSL308PEH6327XTSA1, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -30В; -2А; 0,5Вт; PG-TSOP-6, Infineon

Арт: 302-83-872
BSL308PEH6327XTSA1, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -30В; -2А; 0,5Вт; PG-TSOP-6, Infineon
  • добавить в избранное
  • Арт: 302-83-872
  • Наименование: BSL308PEH6327XTSA1
  • Производитель: Infineon
  • Доп.наименование: Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -30В; -2А; 0,5Вт; PG-TSOP-6
  • Склад:
    Изображение товара дано только в качестве иллюстрации. См. спецификацию продукта (pdf)
    Заказать Цены указаны без НДС

    Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -30В; -2А; 0,5Вт; PG-TSOP-6 Технические параметры
    • Automotive Qualification Standard: AEC-Q101
    • Case: PG-TSOP-6
    • Continuous Drain Current (Id): 2.1A
    • Drain current: -2A
    • Drain-source voltage: -30V
    • Drain-Source Voltage (Vds): 30V
    • Fall Time: 2.8ns
    • Gate-Source Voltage: 20V
    • Gate-source voltage: ±20В
    • Height Units: 6
    • Housing: PG-TSOP-6
    • Manufacturer: Infineon
    • Mount: SMD
    • Mounting: SMD
    • Mounting Type: SMD
    • MSL: Level-1
    • ON Resistance (Rds(on)): 80mΩ
    • On-State Resistance: 80MΩ
    • Operating Temperature Max.: 150°C
    • Operating Temperature Min.: -55°C
    • Package Type: TSOP
    • Packaging: Tape & Reel
    • Phases: Single
    • Polarisation: unipolar
    • Polarity: полевой
    • Power Dissipation (Pd): 500mW
    • Reflow Temperature Max.: 260°C
    • Rise Time: 7.7ns
    • Technology: OptiMOS™ P3
    • Transistor Polarity: P-Channel
    • Transistor type: P-MOSFET
    • Turn-OFF Delay Time: 15.3ns
    • Turn-ON Delay Time: 5.6ns
    • Мощность: 0.5W
    • Сопротивление в открытом состоянии: 80mΩ
    • Ток стока: -2A