BSO080P03SHXUMA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -12,6А; 1,79Вт; PG-DSO-8, Infineon
Арт:
- добавить в избранное
- Арт:
- Наименование: BSO080P03SHXUMA1
- Производитель: Infineon
- Доп.наименование: Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -12,6А; 1,79Вт; PG-DSO-8
- Склад:
Изображение товара дано только в качестве иллюстрации.
См. спецификацию продукта (pdf)
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -12,6А; 1,79Вт; PG-DSO-8 Технические параметры
- Case: PG-DSO-8
- Drain current: -12.6A
- Drain-source voltage: -30V
- Gate-source voltage: ±25В
- Housing: PG-DSO-8
- Manufacturer: Infineon
- Mount: SMD
- Mounting: SMD
- On-State Resistance: 8MΩ
- Polarisation: unipolar
- Polarity: полевой
- Technology: OptiMOS™ P
- Transistor type: P-MOSFET
- Мощность: 1.79W
- Сопротивление в открытом состоянии: 8mΩ
- Ток стока: -12.6A
Документация
tmbso080p03shxuma1-dte.pdf