КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыТранзисторы малой мощностиТранзисторы маломощныеBSP171PH6327XTSA1

BSP171PH6327XTSA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -1,9А; 1,8Вт; PG-SOT223, Infineon

Арт: 302-83-880
BSP171PH6327XTSA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -1,9А; 1,8Вт; PG-SOT223, Infineon
  • добавить в избранное
  • Арт: 302-83-880
  • Наименование: BSP171PH6327XTSA1
  • Производитель: Infineon
  • Доп.наименование: Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -1,9А; 1,8Вт; PG-SOT223
  • Склад:
    Изображение товара дано только в качестве иллюстрации. См. спецификацию продукта (pdf)
    Заказать Цены указаны без НДС

    Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -1,9А; 1,8Вт; PG-SOT223 Технические параметры
    • Automotive Qualification Standard: AEC-Q101
    • Case: PG-SOT223
    • Continuous Drain Current (Id): 1.9A
    • Drain current: -1.9A
    • Drain-source voltage: -60V
    • Drain-Source Voltage (Vds): 60V
    • Fall Time: 87ns
    • Gate-Source Voltage: 20V
    • Gate-source voltage: ±20В
    • Height Units: 4
    • Housing: PG-SOT223
    • Manufacturer: Infineon
    • Mount: SMD
    • Mounting: SMD
    • Mounting Type: SMD
    • MSL: Level-1
    • ON Resistance (Rds(on)): 300mΩ
    • On-State Resistance: 300MΩ
    • Operating Temperature Max.: 150°C
    • Operating Temperature Min.: -55°C
    • Package Type: SOT-223
    • Packaging: Tape & Reel
    • Phases: Single
    • Polarisation: unipolar
    • Polarity: полевой
    • Power Dissipation (Pd): 1.8W
    • Reflow Temperature Max.: 260°C
    • Rise Time: 25ns
    • Technology: SIPMOS™
    • Transistor Polarity: P-Channel
    • Transistor type: P-MOSFET
    • Turn-OFF Delay Time: 208ns
    • Turn-ON Delay Time: 6ns
    • Мощность: 1.8W
    • Сопротивление в открытом состоянии: 300mΩ
    • Ток стока: -1.9A