КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыТранзисторы малой мощностиТранзисторы маломощныеBSP316PH6327XTSA1

BSP316PH6327XTSA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -680мА; 1,8Вт; PG-SOT223, Infineon

Арт: 303-41-189
BSP316PH6327XTSA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -680мА; 1,8Вт; PG-SOT223, Infineon
  • добавить в избранное
  • Арт: 303-41-189
  • Наименование: BSP316PH6327XTSA1
  • Производитель: Infineon
  • Доп.наименование: Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -680мА; 1,8Вт; PG-SOT223
  • Склад:
    Изображение товара дано только в качестве иллюстрации. См. спецификацию продукта (pdf)
    Заказать Цены указаны без НДС

    Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -680мА; 1,8Вт; PG-SOT223 Технические параметры
    • Case: PG-SOT223
    • Drain current: -680mA
    • Drain-source voltage: -100V
    • Gate-source voltage: ±20В
    • Housing: PG-SOT223
    • Manufacturer: Infineon
    • Mount: SMD
    • Mounting: SMD
    • On-State Resistance: 1.8Ω
    • Polarisation: unipolar
    • Polarity: полевой
    • Technology: SIPMOS™
    • Transistor type: P-MOSFET
    • Мощность: 1.8W
    • Сопротивление в открытом состоянии: 1800mΩ
    • Ток стока: -0.68A