BSP322PH6327XTSA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -1А; 1,8Вт; PG-SOT223, Infineon
Арт:
- добавить в избранное
- Арт:
- Наименование: BSP322PH6327XTSA1
- Производитель: Infineon
- Доп.наименование: Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -1А; 1,8Вт; PG-SOT223
- Склад:
Изображение товара дано только в качестве иллюстрации.
См. спецификацию продукта (pdf)
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -100В; -1А; 1,8Вт; PG-SOT223 Технические параметры
- Case: PG-SOT223
- Drain current: -1A
- Drain-source voltage: -100V
- Gate-source voltage: ±20В
- Housing: PG-SOT223
- Manufacturer: Infineon
- Mount: SMD
- Mounting: SMD
- On-State Resistance: 800MΩ
- Polarisation: unipolar
- Polarity: полевой
- Technology: SIPMOS™
- Transistor type: P-MOSFET
- Мощность: 1.8W
- Сопротивление в открытом состоянии: 800mΩ
- Ток стока: -1A
Документация
tmbsp322ph6327xtsa1-dte.pdf