КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыТранзисторы малой мощностиТранзисторы маломощныеBSS83PH6327XTSA1

BSS83PH6327XTSA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -330мА; 360мВт; PG-SOT23, Infineon

Арт: 302-83-923
BSS83PH6327XTSA1, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -330мА; 360мВт; PG-SOT23, Infineon
  • добавить в избранное
  • Арт: 302-83-923
  • Наименование: BSS83PH6327XTSA1
  • Производитель: Infineon
  • Доп.наименование: Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -330мА; 360мВт; PG-SOT23
  • Склад:
    Изображение товара дано только в качестве иллюстрации. См. спецификацию продукта (pdf)
    Заказать Цены указаны без НДС

    Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -330мА; 360мВт; PG-SOT23 Технические параметры
    • Automotive Qualification Standard: AEC-Q101
    • Case: PG-SOT23
    • Continuous Drain Current (Id): 330mA
    • Drain current: -330mA
    • Drain-source voltage: -60V
    • Drain-Source Voltage (Vds): 60V
    • Fall Time: 61ns
    • Gate-Source Voltage: 20V
    • Gate-source voltage: ±20В
    • Height Units: 3
    • Housing: PG-SOT23
    • Manufacturer: Infineon
    • Mount: SMD
    • Mounting: SMD
    • Mounting Type: SMD
    • MSL: Level-1
    • ON Resistance (Rds(on)): 2Ω
    • On-State Resistance: 2Ω
    • Operating Temperature Max.: 150°C
    • Operating Temperature Min.: -55°C
    • Package Type: SOT-23
    • Packaging: Tape & Reel
    • Phases: Single
    • Polarisation: unipolar
    • Polarity: полевой
    • Power Dissipation (Pd): 360mW
    • Reflow Temperature Max.: 260°C
    • Rise Time: 71ns
    • Technology: SIPMOS™
    • Transistor Polarity: P-Channel
    • Transistor type: P-MOSFET
    • Turn-OFF Delay Time: 56ns
    • Turn-ON Delay Time: 23ns
    • Мощность: 0.36W
    • Сопротивление в открытом состоянии: 2000mΩ
    • Ток стока: -0.33A