Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; -50/60В; -130/115мА; 200мВт Технические параметры
- Case: SOT363
- Drain current: -130/115mA
- Drain-source voltage: 60/-50В
- Gate-source voltage: ±20В
- Housing: SOT363
- Kind of package: бобина
- Manufacturer: Diodes/Zetex
- Mount: SMD
- Mounting: SMD
- On-State Resistance: 10000/13500mΩ
- Polarisation: unipolar
- Polarity: полевой
- Transistor type: N/P-MOSFET
- Мощность: 0.2W
- Сопротивление в открытом состоянии: 10/13.5Ом
- Ток стока: 0.115/-0.13А