Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; -20/20В; -750/600мА; 500мВт Технические параметры
- Case: X1-DFN1612-6
- Drain current: -750/600mA
- Drain-source voltage: 20/-20В
- Gate-source voltage: ±8В
- Housing: X1-DFN1612-6
- Kind of package: лента
- Manufacturer: Diodes/Zetex
- Mount: SMD
- Mounting: SMD
- On-State Resistance: 550/900mΩ
- Polarisation: unipolar
- Polarity: полевой
- Transistor type: N/P-MOSFET
- Мощность: 0.5W
- Сопротивление в открытом состоянии: 0.55/0.9Ом
- Ток стока: 0.6/-0.75А