Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; -30/30В; -9,4/6,8А; 2,75Вт Технические параметры
- Case: TO252-4
- Drain current: -9.4/6.8A
- Drain-source voltage: 30/-30В
- Gate-source voltage: ±20В
- Housing: TO252-4
- Kind of package: лента
- Manufacturer: Diodes/Zetex
- Mount: SMD
- Mounting: SMD
- On-State Resistance: 21/39mΩ
- Polarisation: unipolar
- Polarity: полевой
- Transistor type: N/P-MOSFET
- Мощность: 2.75W
- Сопротивление в открытом состоянии: 21/39мОм
- Ток стока: 6.8/-9.4А