Транзистор: N/P-MOSFET; полевой; -35/35В; -8,6/7,8А; 1,54Вт Технические параметры
- Case: TO252-4
- Drain current: -8.6/7.8A
- Drain-source voltage: 35/-35В
- Gate-source voltage: ±20В
- Housing: TO252-4
- Kind of package: лента
- Manufacturer: Diodes/Zetex
- Mount: SMD
- Mounting: SMD
- On-State Resistance: 35/45mΩ
- Polarisation: unipolar
- Polarity: полевой
- Transistor type: N/P-MOSFET
- Мощность: 1.54W
- Сопротивление в открытом состоянии: 35/45мОм
- Ток стока: 7.8/-8.6А