Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -6,6А; 2Вт; SO8 Технические параметры
- Case: SO8
- Drain current: -6.6A
- Drain-source voltage: -30V
- Gate charge: 6.7нC
- Gate-source voltage: ±20В
- Housing: SO8
- Manufacturer: AOS
- Mount: SMD
- Mounting: SMD
- On-State Resistance: 32MΩ
- Polarisation: unipolar
- Polarity: полевой
- Transistor type: P-MOSFET
- Мощность: 2W
- Сопротивление в открытом состоянии: 32mΩ
- Ток стока: -6.6A