КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыТранзисторы малой мощностиТранзисторы маломощныеFDG6306P

FDG6306P, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -20В; -2А; 300мВт; SC70-6, ON SEMICONDUCTOR

Арт:
FDG6306P, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -20В; -2А; 300мВт; SC70-6, ON SEMICONDUCTOR
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: FDG6306P
  • Производитель: ON SEMICONDUCTOR
  • Доп.наименование: Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -20В; -2А; 300мВт; SC70-6
  • Склад:
    Изображение товара дано только в качестве иллюстрации. См. спецификацию продукта (pdf)
    Заказать Цены указаны без НДС

    Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -20В; -2А; 300мВт; SC70-6 Технические параметры
    • Case: SC70-6
    • Drain current: -2A
    • Drain-source voltage: -20V
    • Gate charge: 2нC
    • Gate-source voltage: ±12В
    • Housing: SC70-6
    • Kind of package: лента
    • Manufacturer: ON SEMICONDUCTOR
    • Mount: SMD
    • Mounting: SMD
    • On-State Resistance: 400mΩ
    • Polarisation: unipolar
    • Polarity: полевой
    • Technology: PowerTrench®
    • Transistor type: P-MOSFET x2
    • Мощность: 0.3W
    • Сопротивление в открытом состоянии: 0.4Ω
    • Ток стока: -0.6A