КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыТранзисторы малой мощностиТранзисторы маломощныеFDG6306P

FDG6306P, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -20В; -2А; 300мВт; SC70-6, ON SEMICONDUCTOR

Арт:
FDG6306P, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -20В; -2А; 300мВт; SC70-6, ON SEMICONDUCTOR
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: FDG6306P
  • Производитель: ON SEMICONDUCTOR
  • Доп.наименование: Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -20В; -2А; 300мВт; SC70-6
  • Склад:
    Изображение товара дано только в качестве иллюстрации. См. спецификацию продукта (pdf)
    Заказать Цены указаны без НДС

    Технические параметры
    • Корпус: SC70-6
    • Монтаж: SMD
    • Мощность: 0.3Вт
    • Ток стока: -0.6А
    • Полярность: полевой
    • Технология: PowerTrench®
    • Вид упаковки: лента
    • Заряд затвора: 2нC
    • Тип транзистора: P-MOSFET x2
    • Напряжение сток-исток: -20В
    • Напряжение затвор-исток: ±12В
    • Сопротивление в открытом состоянии: 0.4Ом