КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыТранзисторы малой мощностиТранзисторы маломощныеIPI030N10N3GXKSA1

IPI030N10N3GXKSA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 100А; 300Вт; PG-TO262-3, Infineon

Арт:
IPI030N10N3GXKSA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 100А; 300Вт; PG-TO262-3, Infineon
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: IPI030N10N3GXKSA1
  • Производитель: Infineon
  • Доп.наименование: Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 100А; 300Вт; PG-TO262-3
  • Склад:
    Изображение товара дано только в качестве иллюстрации. См. спецификацию продукта (pdf)
    Заказать Цены указаны без НДС

    Технические параметры
    • Корпус: PG-TO262-3
    • Монтаж: THT
    • Мощность: 300Вт
    • Ток стока: 100А
    • Полярность: полевой
    • Технология: OptiMOS™ 3
    • Тип транзистора: N-MOSFET
    • Напряжение сток-исток: 100В
    • Напряжение затвор-исток: ±20В
    • Сопротивление в открытом состоянии: 3мОм