КаталогАктивные компонентыДискретные полупроводники, лампыТранзисторы малой мощностиТранзисторы маломощныеIPI030N10N3GXKSA1

IPI030N10N3GXKSA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 100А; 300Вт; PG-TO262-3, Infineon

Арт:
IPI030N10N3GXKSA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 100А; 300Вт; PG-TO262-3, Infineon
  • добавить в избранное
  • Арт:
  • Наименование: IPI030N10N3GXKSA1
  • Производитель: Infineon
  • Доп.наименование: Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 100А; 300Вт; PG-TO262-3
  • Склад:
    Изображение товара дано только в качестве иллюстрации. См. спецификацию продукта (pdf)
    Заказать Цены указаны без НДС

    Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 100А; 300Вт; PG-TO262-3 Технические параметры
    • Case: PG-TO262-3
    • Drain current: 100A
    • Drain-source voltage: 100V
    • Gate-source voltage: ±20В
    • Housing: PG-TO262-3
    • Manufacturer: Infineon
    • Mount: THT
    • Mounting: THT
    • On-State Resistance: 3mΩ
    • Polarisation: unipolar
    • Polarity: полевой
    • Technology: OptiMOS™ 3
    • Transistor type: N-MOSFET
    • Мощность: 300W
    • Сопротивление в открытом состоянии: 3mΩ
    • Ток стока: 100A