IPI030N10N3GXKSA1, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 100А; 300Вт; PG-TO262-3, Infineon
Арт:
- добавить в избранное
- Арт:
- Наименование: IPI030N10N3GXKSA1
- Производитель: Infineon
- Доп.наименование: Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 100А; 300Вт; PG-TO262-3
- Склад:
Изображение товара дано только в качестве иллюстрации.
См. спецификацию продукта (pdf)
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 100А; 300Вт; PG-TO262-3 Технические параметры
- Case: PG-TO262-3
- Drain current: 100A
- Drain-source voltage: 100V
- Gate-source voltage: ±20В
- Housing: PG-TO262-3
- Manufacturer: Infineon
- Mount: THT
- Mounting: THT
- On-State Resistance: 3mΩ
- Polarisation: unipolar
- Polarity: полевой
- Technology: OptiMOS™ 3
- Transistor type: N-MOSFET
- Мощность: 300W
- Сопротивление в открытом состоянии: 3mΩ
- Ток стока: 100A
Документация
tmipi030n10n3g-dte.pdf