IPP80N06S2L07AKSA2, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 55В; 80А; 210Вт; PG-TO220-3-1, Infineon
Арт:
- добавить в избранное
- Арт:
- Наименование: IPP80N06S2L07AKSA2
- Производитель: Infineon
- Доп.наименование: Транзистор: N-MOSFET; полевой; 55В; 80А; 210Вт; PG-TO220-3-1
- Склад:
Изображение товара дано только в качестве иллюстрации.
См. спецификацию продукта (pdf)
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 55В; 80А; 210Вт; PG-TO220-3-1 Технические параметры
- Case: PG-TO220-3-1
- Drain current: 80A
- Drain-source voltage: 55V
- Gate-source voltage: ±20В
- Housing: PG-TO220-3-1
- Manufacturer: Infineon
- Mount: THT
- Mounting: THT
- On-State Resistance: 10mΩ
- Polarisation: unipolar
- Polarity: полевой
- Technology: OptiMOS™
- Transistor type: N-MOSFET
- Мощность: 210W
- Сопротивление в открытом состоянии: 10mΩ
- Ток стока: 80A
Документация
tmipp80n06s2l07-dte.pdf